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Samsung presenta la sexta generación de SSD V-NAND 3D

Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, ha anunciado la producción en masa de unidades SSD SATA de 250 GB basadas en sus módulos V-NAND de 256 gigabits de sexta generación con más de 100 capas de celdas de tres bits, que se enviarán a los fabricantes de PC de todo el mundo. Samsung tardó sólo 13 meses en fabricar su V-NAND de nueva generación, reduciendo el ciclo de producción en cuatro meses y ofreciendo los módulos más rápidos, eficientes energéticamente y fáciles de fabricar.

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Los módulos V-NAND de sexta generación de Samsung ofrecen las velocidades de datos más rápidas del sector, demostrando una ventaja de fabricación que lleva la memoria 3D a un nuevo nivel. Gracias a la tecnología exclusiva de Samsung «channel etch», los nuevos chips V-NAND tienen alrededor de un 40% más de celdas que los módulos de memoria 9x de un solo chip de la generación anterior. Esto se consigue formando una estructura de 136 capas eléctricamente conductoras, y luego perforando agujeros cilíndricos verticalmente de arriba a abajo, lo que da lugar a células homogéneas de trampa de carga CTF en 3D.

A medida que aumenta la altura de la matriz dentro de cada celda, los chips flash NAND son más susceptibles de sufrir errores y retrasos en la lectura. Para superar esta limitación, Samsung ha implementado un diseño de circuito de velocidad optimizada que permite velocidades máximas de transferencia de datos de menos de 450 microsegundos µs para operaciones de escritura y menos de 45 µs para operaciones de lectura. En comparación con la generación anterior, el nuevo diseño consigue un aumento de más del 10% en el rendimiento y una reducción de más del 15% en el consumo de energía.

Las soluciones V-NAND de nueva generación alcanzan más de 300 capas, combinando tres celdas de sexta generación sin comprometer el rendimiento ni la fiabilidad del chip, gracias a un diseño optimizado. Además, la nueva generación de chips de 256 GB requiere sólo 670 millones de longitudes de onda, frente a los 930 millones de la generación anterior. Esto dio lugar a chips más pequeños y a un menor número de pasos de fabricación, lo que aumentó la eficiencia de la fabricación en un 20%.

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Mediante el uso de funciones de alta velocidad y bajo consumo, Samsung no sólo pretende ampliar el uso de sus soluciones V-NAND 3D en dispositivos como aparatos móviles y servidores empresariales, sino también llevarlas al mercado del automóvil, donde la alta fiabilidad es clave.

«Al incorporar la tecnología avanzada de memoria 3D en los modelos de producción en masa, podemos introducir líneas de memoria que tienen una velocidad y un consumo de energía significativamente mayores», dijo Kye Hyun Kyung, vicepresidente de memoria flash y tecnología de Samsung Electronics. – Al acortar el ciclo de desarrollo de los productos V-NAND de nueva generación, tenemos previsto ampliar agresivamente el mercado de nuestras soluciones V-NAND de alta velocidad y alto rendimiento de 512 gigabits.

Tras el lanzamiento de la unidad SSD de 250 GB, Samsung tiene previsto introducir una unidad SSD V-NAND triple de 512 gigabits y eUFS en la segunda mitad del año. La empresa también ha anunciado que ampliará la producción de soluciones V-NAND de alta capacidad y velocidad de sexta generación en sus instalaciones de Pyeongtaek Corea a partir del próximo año.

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Herman Lope

Desde que tengo memoria, siempre me he sentido fascinado por la belleza del mundo que me rodea. Cuando era niño, soñaba con crear espacios que no solo fueran impactantes, sino que también influyeran en el bienestar de las personas. Este sueño se convirtió en mi fuerza impulsora cuando decidí seguir el camino del diseño de interiores.

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Comments: 4
  1. Alonso

    ¿Cuáles son las mejoras y características clave de la sexta generación de SSD V-NAND 3D de Samsung? ¿Se ha mejorado la capacidad de almacenamiento y la velocidad de transferencia de datos? ¿Qué ventajas ofrece esta nueva tecnología en comparación con las generaciones anteriores?

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    1. Clara Mora

      La sexta generación de SSD V-NAND 3D de Samsung presenta varias mejoras y características clave. En primer lugar, se ha mejorado significativamente la capacidad de almacenamiento, permitiendo que los SSD alcancen tamaños de hasta 256 terabytes. Además, la velocidad de transferencia de datos se ha incrementado notablemente, llegando a velocidades de lectura y escritura de hasta 7.000 y 5.100 megabytes por segundo respectivamente.

      Esta nueva tecnología ofrece varias ventajas en comparación con las generaciones anteriores. En primer lugar, gracias a la implementación de una mayor cantidad de capas de celdas de memoria, se ha logrado aumentar la densidad de almacenamiento, permitiendo una mayor capacidad en un menor espacio físico. Además, se ha mejorado la fiabilidad y durabilidad de los SSD, brindando una mayor vida útil y resistencia a impactos.

      Por otro lado, esta sexta generación ha logrado reducir el consumo de energía, lo que contribuye a una mayor eficiencia y ahorro de energía. Asimismo, se ha implementado una nueva tecnología de corrección de errores que garantiza una mayor integridad de los datos almacenados.

      En resumen, la sexta generación de SSD V-NAND 3D de Samsung ofrece notables mejoras en capacidad de almacenamiento, velocidad de transferencia de datos, fiabilidad y eficiencia energética, estableciéndose como una opción avanzada y confiable para el almacenamiento de datos.

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  2. Juan

    ¿Cuáles son las características principales de la sexta generación de SSD V-NAND 3D de Samsung? ¿Existen mejoras significativas en rendimiento y capacidad en comparación con las generaciones anteriores? ¿Cuándo estará disponible en el mercado y cuál sería su precio aproximado?

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  3. Cristina Silva

    ¿Cuáles son las principales mejoras y ventajas de la sexta generación de SSD V-NAND 3D de Samsung?

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